加工定制 | 否 | 制作工艺 | 集成 |
---|---|---|---|
输出信号 | 模拟型 | 材料 | 金属 |
材料物理性质 | 半导体 | 材料晶体结构 | 其他 |
防护等级 | 67 | 线性度 | ±0.25 mm%F.S |
迟滞 | 3 m/s%F.S | 重复性 | 0.1 mm%F.S |
灵敏度 | 0.2~10m | 分辨率 | 0.05 mm |
德国P+F电感式接近开关简介NBB15-30GM50-WS
当一块通有电流的金属或半导体薄片垂直地放在磁场中时,薄片的两端就会产生电位差,这种现象就称为霍尔效应。两端具有的电位差值称为霍尔电势U,其表达式为
U=K·I·B/d
其中K为霍尔系数,I为薄片中通过的电流,B为外加磁场(洛伦慈力Lorrentz)的磁感应强度,d是薄片的厚度。
由此可见,霍尔效应的灵敏度高低与外加磁场的磁感应强度成正比的关系。
霍尔开关就属于这种有源磁电转换器件,它是在霍尔效应原理的基础上,利用集成封装和组装工艺制作而成,它可方便的把磁输入信号转换成实际应用中的电信号,同时又具备工业场合实际应用易操作和性的要求。
霍尔开关的输入端是以磁感应强度B来表征的,当B值达到一定的程度(如B1)时,霍尔开关内部的触发器翻转,霍尔开关的输出电平状态也随之翻转。输出端一般采用晶体管输出,和其他传感器类似有NPN、PNP、常开型、常闭型、锁存型(双极性)、双信号输出之分。
德国P+F电感式接近开关简介NBB15-30GM50-WS
继电器C5-M10DXDC220V;带底座‖RELECO
DV180L4BM/HR/V(SEW)SN:67070002FA176989
BM30刹车片
DRL180LC4BE30(BE30/32)
SEW DV180L4/BM 31HF-62+HF 400VAC
整流块 BGE1.5
DV180L4/BM/HR/V
DRN180L4/BE30/HR/V
ASCO 8266D069V 110VAC
ASCO K3A542U
赫斯曼交换机 SPIDER II 8TX EEC
SPIDER-PL-20-08T19999TY9HHHH
赫斯曼 光电转换器 OZD Profi 12M G12 PRO